Numărul de produs al producătorului:
IRF8513PBF
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IRF8513PBF-DG
Descriere:
MOSFET 2N-CH 30V 8A/11A 8SO
Descriere detaliată:
Mosfet Array 30V 8A, 11A 1.5W, 2.4W Surface Mount 8-SO
Inventar:
12802909
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IRF8513PBF Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Obsolete
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configurație
2 N-Channel (Dual)
Caracteristică FET
Logic Level Gate
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
8A, 11A
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
15.5mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 25µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
8.6nC @ 4.5V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
766pF @ 15V
Putere - Max
1.5W, 2.4W
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pachet dispozitiv furnizor
8-SO
Numărul de bază al produsului
IRF8513
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SP001555762
Pachet standard
95
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
BSL215PL6327HTSA1
MOSFET 2P-CH 20V 1.5A TSOP6-6
IRF7307TRPBF
MOSFET N/P-CH 20V 5.2A/4.3A 8SO
IRF7901D1TRPBF
MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 8SO