Numărul de produs al producătorului:
IRF6729MTRPBF
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IRF6729MTRPBF-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 30V 31A DIRECTFET
Descriere detaliată:
N-Channel 30 V 31A (Ta), 190A (Tc) 2.8W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX
Inventar:
12802979
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IRF6729MTRPBF Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
HEXFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
31A (Ta), 190A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
1.8mOhm @ 31A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 150µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
63 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
6030 pF @ 15 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
2.8W (Ta), 104W (Tc)
Temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
DIRECTFET™ MX
Pachet / Carcasă
DirectFET™ Isometric MX
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
IRF6729MTRPBF-DG
IRF6729MTRPBFTR
IRF6729MTRPBFCT
SP001524718
IRF6729MTRPBFDKR
Pachet standard
4,800
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IRF6727MTRPBF
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
3845
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRF6727MTRPBF-DG
PREȚ UNIC
1.03
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IPD70N04S3-07
MOSFET N-CH 40V 82A TO252-3
IPP60R090CFD7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 25A TO220-3
IRF2804STRL
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
