Numărul de produs al producătorului:
IPP60R090CFD7XKSA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPP60R090CFD7XKSA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 600V 25A TO220-3
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 25A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Inventar:
476 Piese Noi Originale În Stoc
12802982
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPP60R090CFD7XKSA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tube
Serie
OptiMOS™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
25A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
90mOhm @ 11.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 570µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
51 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2103 pF @ 400 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
125W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO220-3
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
IPP60R090
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SP001686050
2156-IPP60R090CFD7XKSA1
IFEINFIPP60R090CFD7XKSA1
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRF2804STRL
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
IPA60R280P7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 12A TO220
IPD50R500CEATMA1
MOSFET N-CH 500V 7.6A TO252-3
