Numărul de produs al producătorului:
IRF6665TRPBF
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IRF6665TRPBF-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET
Descriere detaliată:
N-Channel 100 V 4.2A (Ta), 19A (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ SH
Inventar:
12806058
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IRF6665TRPBF Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
HEXFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
4.2A (Ta), 19A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
62mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
530 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
2.2W (Ta), 42W (Tc)
Temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
DIRECTFET™ SH
Pachet / Carcasă
DirectFET™ Isometric SH
Numărul de bază al produsului
IRF6665
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
IRF6665TRPBFDKR
IRF6665TRPBFCT
IRF6665TRPBFTR
2156-IRF6665TRPBF-448
SP001559710
Pachet standard
4,800
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
ISP75DP06LMXTSA1
MOSFET P-CH 60V 1.1A SOT223-4
IRF3704ZCSTRRP
MOSFET N-CH 20V 67A D2PAK
IRFS3206TRRPBF
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
