Numărul de produs al producătorului:
IRF6623TRPBF
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IRF6623TRPBF-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET
Descriere detaliată:
N-Channel 20 V 16A (Ta), 55A (Tc) 1.4W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ ST
Inventar:
8615 Piese Noi Originale În Stoc
12806062
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IRF6623TRPBF Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
HEXFET®
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
20 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
16A (Ta), 55A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
5.7mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
17 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1360 pF @ 10 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
1.4W (Ta), 42W (Tc)
Temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
DIRECTFET™ ST
Pachet / Carcasă
DirectFET™ Isometric ST
Numărul de bază al produsului
IRF6623
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
IRF6623TRPBFCT
IRF6623TRPBFTR
SP001526818
IRF6623TRPBFDKR
Pachet standard
4,800
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRLML5203
MOSFET P-CH 30V 3A MICRO3/SOT23
IRFB3077PBF
MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
IPU50R3K0CEAKMA1
MOSFET N-CH 500V 1.7A TO251-3
