Numărul de produs al producătorului:
IRF6646TR1PBF
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IRF6646TR1PBF-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 80V 12A DIRECTFET
Descriere detaliată:
N-Channel 80 V 12A (Ta), 68A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MN
Inventar:
12823133
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IRF6646TR1PBF Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
HEXFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
80 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
12A (Ta), 68A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
9.5mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.9V @ 150µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
50 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2060 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
DIRECTFET™ MN
Pachet / Carcasă
DirectFET™ Isometric MN
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
IRF6646TR1PBFCT
IRF6646TR1PBFTR
IRF6646TR1PBFDKR
SP001563466
Pachet standard
1,000
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IRF6646TRPBF
PRODUCĂTOR
International Rectifier
CANTITATE DISPONIBILĂ
433574
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRF6646TRPBF-DG
PREȚ UNIC
1.28
TIP SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRF6810STRPBF
MOSFET N CH 25V 16A S1
IRFR812TRPBF
MOSFET N-CH 500V 3.6A DPAK
IXTT440N04T4HV
MOSFET N-CH 40V 440A TO268