Numărul de produs al producătorului:
IRF6810STRPBF
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IRF6810STRPBF-DG
Descriere:
MOSFET N CH 25V 16A S1
Descriere detaliată:
N-Channel 25 V 16A (Ta), 50A (Tc) 2.1W (Ta), 20W (Tc) Surface Mount DirectFET™ Isometric S1
Inventar:
12823136
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
wXSe
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IRF6810STRPBF Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
HEXFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
25 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
16A (Ta), 50A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
5.2mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.1V @ 25µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
11 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±16V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1038 pF @ 13 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
2.1W (Ta), 20W (Tc)
Temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
DirectFET™ Isometric S1
Pachet / Carcasă
DirectFET™ Isometric S1
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
IRF6810STRPBFCT
IRF6810STRPBFDKR
SP001530834
IRF6810STRPBF-DG
IRF6810STRPBFTR
Pachet standard
4,800
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IRLR3636TRPBF
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
30775
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRLR3636TRPBF-DG
PREȚ UNIC
0.73
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRFR812TRPBF
MOSFET N-CH 500V 3.6A DPAK
IXTT440N04T4HV
MOSFET N-CH 40V 440A TO268
IRFR3418TRPBF
MOSFET N-CH 80V 70A DPAK
