Numărul de produs al producătorului:
IRF6645TR1PBF
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IRF6645TR1PBF-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 100V 5.7A DIRECTFET
Descriere detaliată:
N-Channel 100 V 5.7A (Ta), 25A (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ SJ
Inventar:
12803893
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IRF6645TR1PBF Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
HEXFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
5.7A (Ta), 25A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
35mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.9V @ 50µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
890 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
2.2W (Ta), 42W (Tc)
Temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
DIRECTFET™ SJ
Pachet / Carcasă
DirectFET™ Isometric SJ
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
IRF6645TR1PBFCT
SP001574778
IRF6645TR1PBFDKR
IRF6645TR1PBFTR
Pachet standard
1,000
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IRF6645TRPBF
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
21782
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRF6645TRPBF-DG
PREȚ UNIC
0.67
TIP SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IPP126N10N3GXKSA1
MOSFET N-CH 100V 58A TO220-3
IRF3704STRR
MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK
IRFP4768PBF
MOSFET N-CH 250V 93A TO247AC
