Numărul de produs al producătorului:
IRF6613TRPBF
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IRF6613TRPBF-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 40V 23A DIRECTFET
Descriere detaliată:
N-Channel 40 V 23A (Ta), 150A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MT
Inventar:
4078 Piese Noi Originale În Stoc
12804238
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IRF6613TRPBF Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
HEXFET®
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
40 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
23A (Ta), 150A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
3.4mOhm @ 23A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.25V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
63 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
5950 pF @ 15 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
DIRECTFET™ MT
Pachet / Carcasă
DirectFET™ Isometric MT
Numărul de bază al produsului
IRF6613
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SP001526876
IRF6613TRPBFCT
IRF6613TRPBFDKR
IRF6613TRPBFTR
Pachet standard
4,800
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRFSL4410
MOSFET N-CH 100V 96A TO262
IRF3007STRLPBF
MOSFET N CH 75V 62A D2PAK
IRF9383MTRPBF
MOSFET P-CH 30V 22A DIRECTFET
