Numărul de produs al producătorului:
IRFSL4410
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IRFSL4410-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 100V 96A TO262
Descriere detaliată:
N-Channel 100 V 96A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-262
Inventar:
12804239
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IRFSL4410 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
HEXFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
96A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
10mOhm @ 58A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 150µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
180 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
5150 pF @ 50 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
250W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-262
Pachet / Carcasă
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
*IRFSL4410
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
RoHS non-compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IPI086N10N3GXKSA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
270
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPI086N10N3GXKSA1-DG
PREȚ UNIC
0.69
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRF3007STRLPBF
MOSFET N CH 75V 62A D2PAK
IRF9383MTRPBF
MOSFET P-CH 30V 22A DIRECTFET
IRF7451TRPBF
MOSFET N-CH 150V 3.6A 8SO