Numărul de produs al producătorului:
IRF5850TR
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IRF5850TR-DG
Descriere:
MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6TSOP
Descriere detaliată:
Mosfet Array 20V 2.2A 960mW Surface Mount 6-TSOP
Inventar:
12805827
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IRF5850TR Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
HEXFET®
Starea produsului
Obsolete
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configurație
2 P-Channel (Dual)
Caracteristică FET
Logic Level Gate
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
20V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
2.2A
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
135mOhm @ 2.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
5.4nC @ 4.5V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
320pF @ 15V
Putere - Max
960mW
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Pachet dispozitiv furnizor
6-TSOP
Numărul de bază al produsului
IRF58
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SP001564468
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
RoHS non-compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modele alternative
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRF7756TRPBF
MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8TSSOP
IRF8313PBF
MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8SO
IRF9953
MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8SO
