Numărul de produs al producătorului:
IRF3315LPBF
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IRF3315LPBF-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 150V 21A TO262
Descriere detaliată:
N-Channel 150 V 21A (Tc) 3.8W (Ta), 94W (Tc) Through Hole TO-262
Inventar:
12803177
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IRF3315LPBF Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
HEXFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
150 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
21A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
82mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
95 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1300 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
3.8W (Ta), 94W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-262
Pachet / Carcasă
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
*IRF3315LPBF
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
BTS244ZNKSA1
MOSFET N-CH 55V 35A TO220-5-3
IRFZ44NL
MOSFET N-CH 55V 49A TO262
IRF1018ESPBF
MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK
