BTS244ZNKSA1

Numărul de produs al producătorului:

BTS244ZNKSA1

Product Overview

Producător:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Cod de parte:

BTS244ZNKSA1-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 55V 35A TO220-5-3

Descriere detaliată:

N-Channel 55 V 35A (Tc) 170W (Tc) Through Hole PG-TO220-5-3

Inventar:

RFQ Online

12803178

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

BTS244ZNKSA1 Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri

Producător

Infineon Technologies

Ambalare

-

Serie

TEMPFET®

Starea produsului

Obsolete

Tip FET

N-Channel

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

55 V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

35A (Tc)

Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

13mOhm @ 19A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2V @ 130µA

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

130 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±20V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

2660 pF @ 25 V

Caracteristică FET

Temperature Sensing Diode

Disiparea puterii (max)

170W (Tc)

Temperatura

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tip de montare

Through Hole

Pachet dispozitiv furnizor

PG-TO220-5-3

Pachet / Carcasă

TO-220-5 Formed Leads

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML

BTS244ZNKSA1-DG

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume

BTS244Z

BTS244ZNK

BTS244Z-DG

SP000012177

Pachet standard

500

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS

RoHS non-compliant

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)

1 (Unlimited)

Starea REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

infineon-technologies

IRFZ44NL

MOSFET N-CH 55V 49A TO262

infineon-technologies

IRF1018ESPBF

MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK

infineon-technologies

IPD65R250E6XTMA1

MOSFET N-CH 650V 16.1A TO252-3

IRF7834TRPBF

MOSFET N-CH 30V 19A 8SO