Numărul de produs al producătorului:
IRF150P221XKMA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IRF150P221XKMA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 150V 186A TO247-3
Descriere detaliată:
N-Channel 150 V 186A (Tc) 341W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Inventar:
12805345
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IRF150P221XKMA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
StrongIRFET™
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
150 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
186A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
4.5mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.6V @ 264µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
100 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
6000 pF @ 75 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
341W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO247-3
Pachet / Carcasă
TO-247-3
Numărul de bază al produsului
IRF150
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SP001621154
IRF150P221
Pachet standard
25
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IRF150P221AKMA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
525
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRF150P221AKMA1-DG
PREȚ UNIC
3.76
TIP SUBSTITUT
Direct
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRFH5015TRPBF
MOSFET N-CH 150V 10A/56A 8PQFN
IRFB7430PBF
MOSFET N CH 40V 195A TO220
IRF5210STRRPBF
MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
