Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
RD Congo
Argentina
Turcia
România
Lituania
Norvegia
Austria
Angola
Slovacia
ltală
Finlanda
Bielorusia
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Muntenegru
Rusă
Belgia
Suedia
Serbia
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
Moldova
Germania
Olanda
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
Franţa
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Portugalia
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Spania
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
IRF1407S
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IRF1407S-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
Descriere detaliată:
N-Channel 75 V 100A (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) Surface Mount D2PAK
Inventar:
RFQ Online
12805496
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IRF1407S Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
HEXFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
75 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
7.8mOhm @ 78A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
250 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
5600 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
3.8W (Ta), 200W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
D2PAK
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
IRF1407S-DG
Fișe tehnice
IRF1407S
Informații suplimentare
Alte nume
*IRF1407S
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
RoHS non-compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
STB85NF55T4
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
998
DiGi NUMĂR DE PARTE
STB85NF55T4-DG
PREȚ UNIC
1.22
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
PSMN6R5-80BS,118
PRODUCĂTOR
Nexperia USA Inc.
CANTITATE DISPONIBILĂ
4297
DiGi NUMĂR DE PARTE
PSMN6R5-80BS,118-DG
PREȚ UNIC
0.95
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
STB140NF75T4
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
1648
DiGi NUMĂR DE PARTE
STB140NF75T4-DG
PREȚ UNIC
1.68
TIP SUBSTITUT
Direct
NUMĂRUL PARTEI
IPB067N08N3GATMA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
5515
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPB067N08N3GATMA1-DG
PREȚ UNIC
1.19
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
STB75NF75T4
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
967
DiGi NUMĂR DE PARTE
STB75NF75T4-DG
PREȚ UNIC
1.22
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IPW50R199CPFKSA1
MOSFET N-CH 550V 17A TO247-3
IRFR48ZTRPBF
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
IRFHM831TRPBF
MOSFET N-CH 30V 14A/40A PQFN
IPP50R350CPXKSA1
MOSFET N-CH 550V 10A TO220-3