Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
RD Congo
Argentina
Turcia
România
Lituania
Norvegia
Austria
Angola
Slovacia
ltală
Finlanda
Bielorusia
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Muntenegru
Rusă
Belgia
Suedia
Serbia
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
Moldova
Germania
Olanda
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
Franţa
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Portugalia
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Spania
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
IPW50R199CPFKSA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPW50R199CPFKSA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 550V 17A TO247-3
Descriere detaliată:
N-Channel 550 V 17A (Tc) 139W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
Inventar:
RFQ Online
12805499
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPW50R199CPFKSA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
CoolMOS™
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
550 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
17A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
199mOhm @ 9.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 660µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1800 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
139W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO247-3-1
Pachet / Carcasă
TO-247-3
Numărul de bază al produsului
IPW50R
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
IPW50R199CPFKSA1-DG
Fișe tehnice
IPW50R199CPFKSA1
Informații suplimentare
Alte nume
SP000236096
2156-IPW50R199CPFKSA1-IT
IPW50R199CP-DG
IPW50R199CP
ROCINFIPW50R199CPFKSA1
Pachet standard
240
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IXFR44N50Q3
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
27
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXFR44N50Q3-DG
PREȚ UNIC
14.36
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
STW19NM50N
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
337
DiGi NUMĂR DE PARTE
STW19NM50N-DG
PREȚ UNIC
3.02
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
STW24N60M2
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
562
DiGi NUMĂR DE PARTE
STW24N60M2-DG
PREȚ UNIC
1.39
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
IRFP31N50LPBF
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
1443
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRFP31N50LPBF-DG
PREȚ UNIC
3.56
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
IPW60R190C6FKSA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
292
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPW60R190C6FKSA1-DG
PREȚ UNIC
1.70
TIP SUBSTITUT
Direct
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRFR48ZTRPBF
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
IRFHM831TRPBF
MOSFET N-CH 30V 14A/40A PQFN
IPP50R350CPXKSA1
MOSFET N-CH 550V 10A TO220-3
IRLZ44NSTRR
MOSFET N-CH 55V 47A D2PAK