Numărul de produs al producătorului:
IPW80R290C3AXKSA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPW80R290C3AXKSA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 800V 17A TO247-3
Descriere detaliată:
N-Channel 800 V 17A (Tc) 227W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Inventar:
216 Piese Noi Originale În Stoc
12804443
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPW80R290C3AXKSA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tube
Serie
CoolMOS™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
800 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
17A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
290mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
117 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2300 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
227W (Tc)
Temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Clasă
Automotive
Calificare
AEC-Q101
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO247-3
Pachet / Carcasă
TO-247-3
Numărul de bază al produsului
IPW80R290
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
IPW80R290C3AXKSA1-DG
448-IPW80R290C3AXKSA1
SP002890378
Pachet standard
30
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IPU80R3K3P7AKMA1
MOSFET N-CH 800V 1.9A TO251-3
IPI80N06S2L05AKSA1
MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
IPP60R210CFD7XKSA1
MOSFET N CH
