Numărul de produs al producătorului:
IPU80R3K3P7AKMA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPU80R3K3P7AKMA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 800V 1.9A TO251-3
Descriere detaliată:
N-Channel 800 V 1.9A (Tc) 18W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Inventar:
12804445
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPU80R3K3P7AKMA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tube
Serie
CoolMOS™ P7
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
800 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
1.9A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
3.3Ohm @ 590mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 30µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
5.8 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
120 pF @ 500 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
18W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO251-3
Pachet / Carcasă
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Numărul de bază al produsului
IPU80R3
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
IFEINFIPU80R3K3P7AKMA1
SP001636448
2156-IPU80R3K3P7AKMA1
Pachet standard
1,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
FCU3400N80Z
PRODUCĂTOR
Fairchild Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
1691
DiGi NUMĂR DE PARTE
FCU3400N80Z-DG
PREȚ UNIC
0.56
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IPI80N06S2L05AKSA1
MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
IPP60R210CFD7XKSA1
MOSFET N CH
IRF8304MTRPBF
MOSFET N-CH 30V 28A DIRECTFET
