IPW65R037C6FKSA1
Numărul de produs al producătorului:

IPW65R037C6FKSA1

Product Overview

Producător:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Cod de parte:

IPW65R037C6FKSA1-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 650V 83.2A TO247-3
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 83.2A (Tc) 500W (Tc) Through Hole PG-TO247-3

Inventar:

51 Piese Noi Originale În Stoc
12804974
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

IPW65R037C6FKSA1 Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tube
Serie
CoolMOS™ C6
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
83.2A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
37mOhm @ 33.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 3.3mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
330 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
7240 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
500W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO247-3
Pachet / Carcasă
TO-247-3
Numărul de bază al produsului
IPW65R037

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML
Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume
IFEINFIPW65R037C6FKSA1
2156-IPW65R037C6FKSA1
SP000756284
Pachet standard
30

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
infineon-technologies

IRLR7821TRLPBF

MOSFET N-CH 30V 65A DPAK

infineon-technologies

IPD90N10S406ATMA1

MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3

infineon-technologies

IPP80N06S2LH5AKSA2

MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3

infineon-technologies

IRF3717TRPBF

MOSFET N-CH 20V 20A 8SO