Numărul de produs al producătorului:
IPD90N10S406ATMA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPD90N10S406ATMA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3
Descriere detaliată:
N-Channel 100 V 90A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313
Inventar:
2431 Piese Noi Originale În Stoc
12804976
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPD90N10S406ATMA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
6.7mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 90µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
4870 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
136W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Clasă
Automotive
Calificare
AEC-Q101
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO252-3-313
Pachet / Carcasă
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numărul de bază al produsului
IPD90
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
IPD90N10S406ATMA1-DG
448-IPD90N10S406ATMA1TR
448-IPD90N10S406ATMA1CT
448-IPD90N10S406ATMA1DKR
SP001101896
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IPP80N06S2LH5AKSA2
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
IRF3717TRPBF
MOSFET N-CH 20V 20A 8SO
IRF7420
MOSFET P-CH 12V 11.5A 8SO
