Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
Franţa
Spania
Turcia
Moldova
Lituania
Norvegia
Germania
Portugalia
Slovacia
ltală
Finlanda
Rusă
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Serbia
Bielorusia
Olanda
Suedia
Muntenegru
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
România
Austria
Belgia
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
RD Congo
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Angola
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
IPW60R299CPFKSA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPW60R299CPFKSA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 600V 11A TO247-3
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 11A (Tc) 96W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
Inventar:
RFQ Online
12804199
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPW60R299CPFKSA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
CoolMOS™
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
299mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 440µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1100 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
96W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO247-3-1
Pachet / Carcasă
TO-247-3
Numărul de bază al produsului
IPW60R
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
IPW60R299CPFKSA1-DG
Fișe tehnice
IPW60R299CPFKSA1
Informații suplimentare
Alte nume
IPW60R299CPXK
ROCINFIPW60R299CPFKSA1
SP000103251
IPW60R299CP
IPW60R299CP-DG
IPW60R299CPX
2156-IPW60R299CPFKSA1-IT
Pachet standard
240
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IRFPC50APBF
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
4648
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRFPC50APBF-DG
PREȚ UNIC
1.74
TIP SUBSTITUT
Direct
NUMĂRUL PARTEI
IXFH18N60P
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXFH18N60P-DG
PREȚ UNIC
2.99
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
STW18N65M5
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
154
DiGi NUMĂR DE PARTE
STW18N65M5-DG
PREȚ UNIC
1.58
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
STW18N60M2
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
476
DiGi NUMĂR DE PARTE
STW18N60M2-DG
PREȚ UNIC
1.26
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
STW18NM60N
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
547
DiGi NUMĂR DE PARTE
STW18NM60N-DG
PREȚ UNIC
3.00
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRF7459TRPBF
MOSFET N-CH 20V 12A 8SO
IPI80N06S3L06XK
MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
IPU80R2K8CEAKMA1
MOSFET N-CH 800V 1.9A TO251-3
IRFB7740PBF
MOSFET N-CH 75V 87A TO220AB