STW18N60M2
Numărul de produs al producătorului:

STW18N60M2

Product Overview

Producător:

STMicroelectronics

DiGi Electronics Cod de parte:

STW18N60M2-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 600V 13A TO247
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 13A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-247-3

Inventar:

476 Piese Noi Originale În Stoc
12875980
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

STW18N60M2 Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
STMicroelectronics
Ambalare
Tube
Serie
MDmesh™ II Plus
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
13A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
280mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
21.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
791 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
110W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-247-3
Pachet / Carcasă
TO-247-3
Numărul de bază al produsului
STW18

Fișa de date și documente

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume
497-15284-5
Pachet standard
30

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
stmicroelectronics

STF6N68K3

MOSFET N-CH 680V TO220FP

stmicroelectronics

STU7N60M2

MOSFET N-CH 600V 5A IPAK

stmicroelectronics

STW70N60M2-4

MOSFET N-CH 600V 68A TO247

stmicroelectronics

STP6N95K5

N-channel 950 V, 1 Ohm typ., 9 A