Numărul de produs al producătorului:
IPU50R1K4CEBKMA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPU50R1K4CEBKMA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 500V 3.1A TO251-3
Descriere detaliată:
N-Channel 500 V 3.1A (Tc) 25W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Inventar:
12802763
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPU50R1K4CEBKMA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
CoolMOS™
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
500 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
3.1A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
13V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
1.4Ohm @ 900mA, 13V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 70µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
8.2 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
178 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
25W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO251-3
Pachet / Carcasă
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Numărul de bază al produsului
IPU50R
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
INFINFIPU50R1K4CEBKMA1
SP001022958
2156-IPU50R1K4CEBKMA1-IT
Pachet standard
1,500
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
3 (168 Hours)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
STU6N60M2
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
4
DiGi NUMĂR DE PARTE
STU6N60M2-DG
PREȚ UNIC
0.46
TIP SUBSTITUT
Direct
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRFHM8326TRPBF
MOSFET N-CH 30V 25A PQFN
IPP80N08S207AKSA1
MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3
IRF7473PBF
MOSFET N-CH 100V 6.9A 8SO
