Numărul de produs al producătorului:
IPS70R900P7SAKMA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPS70R900P7SAKMA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 700V 6A TO251-3
Descriere detaliată:
N-Channel 700 V 6A (Tc) 30.5W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Inventar:
821 Piese Noi Originale În Stoc
12852027
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPS70R900P7SAKMA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tube
Serie
CoolMOS™ P7
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
700 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
900mOhm @ 1.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 60µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
6.8 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±16V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
211 pF @ 400 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
30.5W (Tc)
Temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO251-3
Pachet / Carcasă
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Numărul de bază al produsului
IPS70R900
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
2156-IPS70R900P7SAKMA1
ROCINFIPS70R900P7SAKMA1
SP001499716
Pachet standard
75
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRLML5203GTRPBF
MOSFET P-CH 30V 3A SOT-23-3
IRF9530NSTRLPBF
MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
MCH5839-TL-H
MOSFET P-CH 20V 1.5A 5MCPH
