Numărul de produs al producătorului:
IRF9530NSTRLPBF
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IRF9530NSTRLPBF-DG
Descriere:
MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
Descriere detaliată:
P-Channel 100 V 14A (Tc) 3.8W (Ta), 79W (Tc) Surface Mount D2PAK
Inventar:
3174 Piese Noi Originale În Stoc
12852052
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IRF9530NSTRLPBF Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
HEXFET®
Starea produsului
Active
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
14A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
200mOhm @ 8.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
58 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
760 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
3.8W (Ta), 79W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
D2PAK
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numărul de bază al produsului
IRF9530
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
IRF9530NSTRLPBF-DG
IRF9530NSTRLPBFTR
IRF9530NSTRLPBFCT
IRF9530NSTRLPBFDKR
SP001563796
Pachet standard
800
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
MCH5839-TL-H
MOSFET P-CH 20V 1.5A 5MCPH
IRF630STRL
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
IPB22N03S4L15ATMA1
MOSFET N-CH 30V 22A TO263-3
