Numărul de produs al producătorului:
IPS60R1K0PFD7SAKMA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPS60R1K0PFD7SAKMA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 650V 4.7A TO251-3
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 4.7A (Tc) 26W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Inventar:
866 Piese Noi Originale În Stoc
12810877
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPS60R1K0PFD7SAKMA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tube
Serie
CoolMOS™PFD7
Starea produsului
Last Time Buy
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
4.7A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
1Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 50µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
6 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
230 pF @ 400 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
26W (Tc)
Temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO251-3
Pachet / Carcasă
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Numărul de bază al produsului
IPS60R1
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
2156-IPS60R1K0PFD7SAKMA1
SP003493708
448-IPS60R1K0PFD7SAKMA1
Pachet standard
75
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
Not Applicable
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IPU80R900P7AKMA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
1500
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPU80R900P7AKMA1-DG
PREȚ UNIC
0.47
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IMW65R107M1HXKSA1
MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
IPAN60R125PFD7SXKSA1
MOSFET N-CH 650V 25A TO220
IPN60R1K5PFD7SATMA1
MOSFET N-CH 600V 3.6A SOT223
