IMW65R107M1HXKSA1
Numărul de produs al producătorului:

IMW65R107M1HXKSA1

Product Overview

Producător:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Cod de parte:

IMW65R107M1HXKSA1-DG

Descriere:

MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 20A (Tc) 75W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41

Inventar:

431 Piese Noi Originale În Stoc
12810878
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

IMW65R107M1HXKSA1 Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tube
Serie
CoolSiC™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
18V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
142mOhm @ 8.9A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.7V @ 3mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 18 V
Vgs (Max)
+23V, -5V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
496 pF @ 400 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
75W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO247-3-41
Pachet / Carcasă
TO-247-3
Numărul de bază al produsului
IMW65R107

Fișa de date și documente

Fișe tehnice
Datasheet

Informații suplimentare

Alte nume
448-IMW65R107M1HXKSA1
SP005398436
Pachet standard
30

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Produse Asemănătoare
infineon-technologies

IPAN60R125PFD7SXKSA1

MOSFET N-CH 650V 25A TO220

infineon-technologies

IPN60R1K5PFD7SATMA1

MOSFET N-CH 600V 3.6A SOT223

infineon-technologies

IPT60R040S7XTMA1

MOSFET N-CH 600V 13A 8HSOF

infineon-technologies

IMW65R072M1HXKSA1

MOSFET 650V NCH SIC TRENCH