Numărul de produs al producătorului:
IPS60R1K0CEAKMA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPS60R1K0CEAKMA1-DG
Descriere:
CONSUMER
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 6.8A (Tj) 61W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Inventar:
12804210
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPS60R1K0CEAKMA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tube
Serie
CoolMOS™ CE
Starea produsului
Last Time Buy
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
6.8A (Tj)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
1Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 130µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
280 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
61W (Tc)
Temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO251-3
Pachet / Carcasă
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Numărul de bază al produsului
IPS60R1
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SP001471274
2156-IPS60R1K0CEAKMA1-448
Pachet standard
1,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
3 (168 Hours)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IPS70R900P7SAKMA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
821
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPS70R900P7SAKMA1-DG
PREȚ UNIC
0.22
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRFP140NPBF
MOSFET N-CH 100V 33A TO247AC
IPD60R750E6BTMA1
MOSFET N-CH 600V 5.7A TO252-3
IRFR3707Z
MOSFET N-CH 30V 56A DPAK