Numărul de produs al producătorului:
IPP80P04P4L08AKSA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPP80P04P4L08AKSA1-DG
Descriere:
MOSFET P-CH 40V 80A TO220-3
Descriere detaliată:
P-Channel 40 V 80A (Tc) 75W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Inventar:
12803822
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPP80P04P4L08AKSA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
OptiMOS™
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
40 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
8.2mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 120µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
92 nC @ 10 V
Vgs (Max)
+5V, -16V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
5430 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
75W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Clasă
Automotive
Calificare
AEC-Q101
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO220-3-1
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
IPP80P
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
2156-IPP80P04P4L08AKSA1
SP000840212
INFINFIPP80P04P4L08AKSA1
Pachet standard
500
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IPP120P04P4L03AKSA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPP120P04P4L03AKSA1-DG
PREȚ UNIC
2.07
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRFS3307
MOSFET N-CH 75V 130A D2PAK
IRF1018ESLPBF
MOSFET N-CH 60V 79A TO262
IPW60R120P7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 26A TO247-3
