Numărul de produs al producătorului:
IPP120P04P4L03AKSA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPP120P04P4L03AKSA1-DG
Descriere:
MOSFET P-CH 40V 120A TO220-3
Descriere detaliată:
P-Channel 40 V 120A (Tc) 136W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Inventar:
12803630
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
yJr7
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPP120P04P4L03AKSA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tube
Serie
OptiMOS™
Starea produsului
Active
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
40 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
3.4mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 340µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
234 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±16V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
15000 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
136W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Clasă
Automotive
Calificare
AEC-Q101
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO220-3-1
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
IPP120
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
448-IPP120P04P4L03AKSA1
SP000842300
IPP120P04P4L03AKSA1-DG
Pachet standard
500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IPP120P04P4L03AKSA2
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
686
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPP120P04P4L03AKSA2-DG
PREȚ UNIC
1.62
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IPP60R125C6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 30A TO220-3
IPI032N06N3 G
MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
IPD90N03S4L03ATMA1
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
