Numărul de produs al producătorului:
IPP65R660CFDAAKSA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPP65R660CFDAAKSA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 650V 6A TO220-3
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 6A (Tc) 62.5W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Inventar:
12805071
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPP65R660CFDAAKSA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
CoolMOS™
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
660mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 200µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
543 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
62.5W (Tc)
Temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Clasă
Automotive
Calificare
AEC-Q101
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO220-3
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
IPP65R
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SP000875802
Pachet standard
500
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
STP12NK80Z
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
707
DiGi NUMĂR DE PARTE
STP12NK80Z-DG
PREȚ UNIC
1.56
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
STP11N65M2
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
1996
DiGi NUMĂR DE PARTE
STP11N65M2-DG
PREȚ UNIC
0.67
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRFU4510PBF
MOSFET N-CH 100V 56A IPAK
IRFR3806PBF
MOSFET N-CH 60V 43A DPAK
IRFS3307ZTRLPBF
MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
