Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
Franţa
Spania
Turcia
Moldova
Lituania
Norvegia
Germania
Portugalia
Slovacia
ltală
Finlanda
Rusă
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Serbia
Bielorusia
Olanda
Suedia
Muntenegru
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
România
Austria
Belgia
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
RD Congo
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Angola
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
STP12NK80Z
Product Overview
Producător:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Cod de parte:
STP12NK80Z-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 800V 10.5A TO220AB
Descriere detaliată:
N-Channel 800 V 10.5A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-220
Inventar:
707 Piese Noi Originale În Stoc
12879022
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
STP12NK80Z Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
STMicroelectronics
Ambalare
Tube
Serie
SuperMESH™
Starea produsului
Not For New Designs
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
800 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
10.5A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
750mOhm @ 5.25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 100µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
87 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2620 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
190W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
STP12
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
STx12NK80Z
Informații suplimentare
Alte nume
STP12NK80Z-DG
497-6737-5
-497-6737-5
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
SPP08N80C3XKSA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
1997
DiGi NUMĂR DE PARTE
SPP08N80C3XKSA1-DG
PREȚ UNIC
1.00
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
SPP11N80C3XKSA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
6913
DiGi NUMĂR DE PARTE
SPP11N80C3XKSA1-DG
PREȚ UNIC
1.21
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
SPP06N80C3XKSA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
5987
DiGi NUMĂR DE PARTE
SPP06N80C3XKSA1-DG
PREȚ UNIC
0.81
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
STW12NK80Z
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
STW12NK80Z-DG
PREȚ UNIC
2.74
TIP SUBSTITUT
Parametric Equivalent
NUMĂRUL PARTEI
FCP850N80Z
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
766
DiGi NUMĂR DE PARTE
FCP850N80Z-DG
PREȚ UNIC
1.13
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
STFI40N60M2
MOSFET N-CH 600V 34A I2PAKFP
STI300N4F6
MOSFET N CH 40V 160A I2PAK
STD38NH02LT4
MOSFET N-CH 24V 38A DPAK
STP7N52DK3
MOSFET N-CH 525V 6A TO220AB