Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
Franţa
Spania
Turcia
Moldova
Lituania
Norvegia
Germania
Portugalia
Slovacia
ltală
Finlanda
Rusă
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Serbia
Bielorusia
Olanda
Suedia
Muntenegru
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
România
Austria
Belgia
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
RD Congo
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Angola
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
IPP65R150CFDXKSA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPP65R150CFDXKSA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 650V 22.4A TO220-3
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 22.4A (Tc) 195.3W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Inventar:
RFQ Online
12817992
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPP65R150CFDXKSA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
CoolMOS™
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
22.4A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
150mOhm @ 9.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 900µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
86 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2340 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
195.3W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO220-3
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
IPP65R150
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
IPP65R150CFDXKSA1-DG
Fișe tehnice
IPP65R150CFDXKSA1
Informații suplimentare
Alte nume
SP000907024
IPP65R150CFDXKSA1-DG
448-IPP65R150CFDXKSA1
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
STP28N60M2
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
1020
DiGi NUMĂR DE PARTE
STP28N60M2-DG
PREȚ UNIC
1.40
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
AOT25S65L
PRODUCĂTOR
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
AOT25S65L-DG
PREȚ UNIC
1.99
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
TPH3206PS
PRODUCĂTOR
Transphorm
CANTITATE DISPONIBILĂ
341
DiGi NUMĂR DE PARTE
TPH3206PS-DG
PREȚ UNIC
4.91
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
TK17E65W,S1X
PRODUCĂTOR
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTITATE DISPONIBILĂ
12
DiGi NUMĂR DE PARTE
TK17E65W,S1X-DG
PREȚ UNIC
1.35
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
STP24N60DM2
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
105
DiGi NUMĂR DE PARTE
STP24N60DM2-DG
PREȚ UNIC
1.48
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
EPC2030ENGRT
GANFET NCH 40V 31A DIE
R5011FNX
MOSFET N-CH 500V 11A TO-220FM
BSO613SPVGXUMA1
MOSFET P-CH 8-SOIC
IRFR5410TRR
MOSFET P-CH 100V 13A DPAK