Numărul de produs al producătorului:
IPP111N15N3GXKSA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPP111N15N3GXKSA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 150V 83A TO220-3
Descriere detaliată:
N-Channel 150 V 83A (Tc) 214W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Inventar:
3898 Piese Noi Originale În Stoc
13064062
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPP111N15N3GXKSA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tube
Serie
OptiMOS™
Ambalaj
Tube
Starea piesei
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
150 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
83A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
8V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
11.1mOhm @ 83A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 160µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
55 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
3230 pF @ 75 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
214W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO220-3
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
IPP111
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
IPP111N15N3GXKSA1-ND
IPP111N15N3 G-ND
IPP111N15N3G
SP000677860
IPP111N15N3 G
448-IPP111N15N3GXKSA1
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRF7580MTRPBF
MOSFET N-CH 60V 114A DIRECTFET
IPD90R1K2C3BTMA1
MOSFET N-CH 900V 5.1A TO252-3
IPA65R125C7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 10A TO220-FP
