Numărul de produs al producătorului:
IPA65R125C7XKSA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPA65R125C7XKSA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 650V 10A TO220-FP
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 10A (Tc) 32W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Inventar:
342 Piese Noi Originale În Stoc
13064066
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPA65R125C7XKSA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tube
Serie
CoolMOS™ C7
Ambalaj
Tube
Starea piesei
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
125mOhm @ 8.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 440µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1670 pF @ 400 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
32W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO220-FP
Pachet / Carcasă
TO-220-3 Full Pack
Numărul de bază al produsului
IPA65R
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
INFINFIPA65R125C7XKSA1
2156-IPA65R125C7XKSA1
SP001080136
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRFR9014N
MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
IPD12N03LB G
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
IRF7805ZPBF
MOSFET N-CH 30V 16A 8SO
