Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
Franţa
Spania
Turcia
Moldova
Lituania
Norvegia
Germania
Portugalia
Slovacia
ltală
Finlanda
Rusă
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Serbia
Bielorusia
Olanda
Suedia
Muntenegru
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
România
Austria
Belgia
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
RD Congo
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Angola
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
IPP057N06N3GXKSA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPP057N06N3GXKSA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
Descriere detaliată:
N-Channel 60 V 80A (Tc) 115W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Inventar:
494 Piese Noi Originale În Stoc
12803514
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPP057N06N3GXKSA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tube
Serie
OptiMOS™
Starea produsului
Not For New Designs
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
5.7mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 58µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
82 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
6600 pF @ 30 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
115W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO220-3
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
IPP057
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
IPP057N06N3GXKSA1-DG
Fișe tehnice
IPP057N06N3GXKSA1
Informații suplimentare
Alte nume
IPP057N06N3 G
IPP057N06N3G
IPP057N06N3 G-DG
SP000680808
INFINFIPP057N06N3GXKSA1
2156-IPP057N06N3GXKSA1
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
PSMN4R6-60PS,127
PRODUCĂTOR
Nexperia USA Inc.
CANTITATE DISPONIBILĂ
7843
DiGi NUMĂR DE PARTE
PSMN4R6-60PS,127-DG
PREȚ UNIC
1.15
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
DMTH6005LCT
PRODUCĂTOR
Diodes Incorporated
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
DMTH6005LCT-DG
PREȚ UNIC
0.95
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
IXTP120N075T2
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
44
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXTP120N075T2-DG
PREȚ UNIC
1.69
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
TK4R3E06PL,S1X
PRODUCĂTOR
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTITATE DISPONIBILĂ
177
DiGi NUMĂR DE PARTE
TK4R3E06PL,S1X-DG
PREȚ UNIC
0.51
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
PSMN3R0-60PS,127
PRODUCĂTOR
Nexperia USA Inc.
CANTITATE DISPONIBILĂ
4251
DiGi NUMĂR DE PARTE
PSMN3R0-60PS,127-DG
PREȚ UNIC
1.62
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IPP50R500CEXKSA1
MOSFET N-CH 500V 7.6A TO220-3
IRFR13N20DTRLP
MOSFET N-CH 200V 13A DPAK
IPD60R380E6ATMA2
MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252-3
IRFZ44VZPBF
MOSFET N-CH 60V 57A TO220AB