Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
Franţa
Spania
Turcia
Moldova
Lituania
Norvegia
Germania
Portugalia
Slovacia
ltală
Finlanda
Rusă
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Serbia
Bielorusia
Olanda
Suedia
Muntenegru
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
România
Austria
Belgia
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
RD Congo
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Angola
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
IPP048N04NGXKSA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPP048N04NGXKSA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 40V 70A TO220-3
Descriere detaliată:
N-Channel 40 V 70A (Tc) 79W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Inventar:
RFQ Online
12801024
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPP048N04NGXKSA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tube
Serie
OptiMOS™
Starea produsului
Not For New Designs
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
40 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
70A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
4.8mOhm @ 70A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 200µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
41 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
3300 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
79W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO220-3
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
IPP048
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
IPP048N04NGXKSA1-DG
Fișe tehnice
IPP048N04NGXKSA1
Informații suplimentare
Alte nume
IPP048N04NGXKSA1-DG
448-IPP048N04NGXKSA1
IPP048N04N G
IPP048N04NG
SP000648308
IPP048N04N G-DG
Pachet standard
500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IRF40B207
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
2883
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRF40B207-DG
PREȚ UNIC
0.45
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
CSD18503KCS
PRODUCĂTOR
National Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
740
DiGi NUMĂR DE PARTE
CSD18503KCS-DG
PREȚ UNIC
0.76
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
STP120N4F6
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
STP120N4F6-DG
PREȚ UNIC
0.81
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IPI052NE7N3 G
MOSFET N-CH 75V 80A TO262-3
IPC302N20NFDX1SA1
MOSFET N-CH 200V 1A SAWN ON FOIL
IPD090N03LGATMA1
MOSFET N-CH 30V 40A TO252-3
IPB80N06S2L06ATMA1
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3