Numărul de produs al producătorului:
IRF40B207
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IRF40B207-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 40V 95A TO220AB
Descriere detaliată:
N-Channel 40 V 95A (Tc) 83W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventar:
2883 Piese Noi Originale În Stoc
12803844
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IRF40B207 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tube
Serie
HEXFET®, StrongIRFET™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
40 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
95A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
4.5mOhm @ 57A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 50µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2110 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
83W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220AB
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
IRF40B207
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
448-IRF40B207
SP001564728
IRF40B207-DG
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IPP80CN10NGHKSA1
MOSFET N-CH 100V 13A TO220-3
IRF6612TR1
MOSFET N-CH 30V 24A DIRECTFET
IRF9Z24NSTRR
MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK
