Numărul de produs al producătorului:
IPP023NE7N3G
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPP023NE7N3G-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 75V 120A TO220-3
Descriere detaliată:
N-Channel 75 V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Inventar:
12806621
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPP023NE7N3G Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
OptiMOS™ 3
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
75 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
2.3mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 273µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
206 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
14400 pF @ 37.5 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
300W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO220-3
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
IPP023N
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SP000938080
Pachet standard
1,000
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
3 (168 Hours)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IPP023NE7N3GXKSA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
460
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPP023NE7N3GXKSA1-DG
PREȚ UNIC
2.96
TIP SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRL60S216
MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK
IRF6727MTR1PBF
MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
IRF6717MTRPBF
MOSFET N-CH 25V 38A DIRECTFET
