Numărul de produs al producătorului:
IRL60S216
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IRL60S216-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK
Descriere detaliată:
N-Channel 60 V 195A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Inventar:
12806624
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IRL60S216 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
HEXFET®, StrongIRFET™
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
195A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
1.95mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
255 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
15330 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
375W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO263-3
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numărul de bază al produsului
IRL60S216
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
IRL60S216CT
INFINFIRL60S216
SP001573906
2156-IRL60S216
IRL60S216DKR
IRL60S216TR
Pachet standard
800
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IPB019N06L3GATMA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
7726
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPB019N06L3GATMA1-DG
PREȚ UNIC
1.57
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRF6727MTR1PBF
MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
IRF6717MTRPBF
MOSFET N-CH 25V 38A DIRECTFET
SPP15P10P
MOSFET P-CH 100V 15A TO220-3
