Numărul de produs al producătorului:
IPI80P04P4L04AKSA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPI80P04P4L04AKSA1-DG
Descriere:
MOSFET P-CH 40V 80A TO262-3
Descriere detaliată:
P-Channel 40 V 80A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
Inventar:
12799951
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPI80P04P4L04AKSA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
OptiMOS™
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
40 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
4.7mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
176 nC @ 10 V
Vgs (Max)
+5V, -16V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
3800 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
125W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Clasă
Automotive
Calificare
AEC-Q101
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO262-3-1
Pachet / Carcasă
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Numărul de bază al produsului
IPI80P
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SP000840198
Pachet standard
500
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IPP120P04P4L03AKSA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPP120P04P4L03AKSA1-DG
PREȚ UNIC
2.07
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IPB120N06S402ATMA1
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
BSC030P03NS3GAUMA1
MOSFET P-CH 30V 25.4/100A 8TDSON
IPI041N12N3GAKSA1
MOSFET N-CH 120V 120A TO262-3