Numărul de produs al producătorului:
IPI50R399CPXKSA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPI50R399CPXKSA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 500V 9A TO262-3
Descriere detaliată:
N-Channel 500 V 9A (Tc) 83W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Inventar:
12813060
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPI50R399CPXKSA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
CoolMOS™
Starea produsului
Discontinued at Digi-Key
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
500 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
399mOhm @ 4.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 330µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
890 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
83W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO262-3
Pachet / Carcasă
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Numărul de bază al produsului
IPI50R399
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SP000680738
Pachet standard
500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
STP18N55M5
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
971
DiGi NUMĂR DE PARTE
STP18N55M5-DG
PREȚ UNIC
1.33
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IPB65R225C7ATMA2
MOSFET N-CH 650V 11A TO263-3
IRF7811APBF
MOSFET N-CH 28V 11A 8SO
IRFR120NTRRPBF
MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK
