Numărul de produs al producătorului:
SPP80N06S2-07
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
SPP80N06S2-07-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
Descriere detaliată:
N-Channel 55 V 80A (Tc) 250W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Inventar:
12813191
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SPP80N06S2-07 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
OptiMOS™
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
55 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
6.6mOhm @ 68A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 180µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
4540 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
250W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO220-3-1
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
SPP80N
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
2156-SPP80N06S2-07-IT
INFINFSPP80N06S2-07
SP000013579
SPP80N06S207
Pachet standard
500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
RoHS non-compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
STP80NF55-06
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
999
DiGi NUMĂR DE PARTE
STP80NF55-06-DG
PREȚ UNIC
1.54
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRF1104STRL
MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
IPP120N06S402AKSA1
MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
IRFP9140N
MOSFET P-CH 100V 23A TO247AC
