Numărul de produs al producătorului:
IPD80R4K5P7ATMA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPD80R4K5P7ATMA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 800V 1.5A TO252
Descriere detaliată:
N-Channel 800 V 1.5A (Tc) 13W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventar:
12800597
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPD80R4K5P7ATMA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
CoolMOS™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
800 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
1.5A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
4.5Ohm @ 400mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 200µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
4 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
80 pF @ 500 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
13W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO252-3
Pachet / Carcasă
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numărul de bază al produsului
IPD80R4
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
IPD80R4K5P7ATMA1TR
IPD80R4K5P7ATMA1CT
SP001422632
IPD80R4K5P7ATMA1DKR
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
AOD2N60
PRODUCĂTOR
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
CANTITATE DISPONIBILĂ
26961
DiGi NUMĂR DE PARTE
AOD2N60-DG
PREȚ UNIC
0.20
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IPB019N08N3GATMA1
MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
IPI25N06S3L-22
MOSFET N-CH 55V 25A TO262-3
IPB117N20NFDATMA1
MOSFET N-CH 200V 84A TO263-3
