Numărul de produs al producătorului:
IPC100N04S5L1R5ATMA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPC100N04S5L1R5ATMA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34
Descriere detaliată:
N-Channel 40 V 100A (Tc) 115W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-34
Inventar:
10335 Piese Noi Originale În Stoc
12800603
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPC100N04S5L1R5ATMA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Starea produsului
Not For New Designs
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
40 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
1.5mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 60µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
95 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±16V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
5340 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
115W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TDSON-8-34
Pachet / Carcasă
8-PowerTDFN
Numărul de bază al produsului
IPC100
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
IPC100N04S5L1R5ATMA1CT
IPC100N04S5L1R5ATMA1TR
2156-IPC100N04S5L1R5ATMA1
SP001257556
IPC100N04S5L1R5ATMA1DKR
ROCINFIPC100N04S5L1R5ATMA1
Pachet standard
5,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IPB036N12N3GATMA1
MOSFET N-CH 120V 180A TO263-7
IPD50R1K4CEBTMA1
MOSFET N-CH 500V 3.1A TO252-3
IPB100N06S3-03
MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3