Numărul de produs al producătorului:
IPB036N12N3GATMA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPB036N12N3GATMA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 120V 180A TO263-7
Descriere detaliată:
N-Channel 120 V 180A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7
Inventar:
1060 Piese Noi Originale În Stoc
12800604
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPB036N12N3GATMA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
120 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
180A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
3.6mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 270µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
211 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
13800 pF @ 60 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
300W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO263-7
Pachet / Carcasă
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Numărul de bază al produsului
IPB036
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
IPB036N12N3 GDKR-DG
SP000675204
IPB036N12N3 G
IPB036N12N3 GTR
IPB036N12N3 GTR-DG
IPB036N12N3 G-DG
IPB036N12N3 GCT
IPB036N12N3GATMA1DKR
IPB036N12N3 GCT-DG
IPB036N12N3GATMA1CT
IPB036N12N3GATMA1TR
IPB036N12N3 GDKR
IPB036N12N3G
Pachet standard
1,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IPD50R1K4CEBTMA1
MOSFET N-CH 500V 3.1A TO252-3
IPB100N06S3-03
MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3
IPD053N08N3GATMA1
MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
