Numărul de produs al producătorului:
IPD70R1K4P7SAUMA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPD70R1K4P7SAUMA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 700V 4A TO252-3
Descriere detaliată:
N-Channel 700 V 4A (Tc) 23W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventar:
20689 Piese Noi Originale În Stoc
12801089
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPD70R1K4P7SAUMA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
CoolMOS™ P7
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
700 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
1.4Ohm @ 700mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 40µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
4.7 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±16V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
158 pF @ 400 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
23W (Tc)
Temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO252-3
Pachet / Carcasă
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numărul de bază al produsului
IPD70
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
IPD70R1K4P7SAUMA1TR
SP001491632
IPD70R1K4P7SAUMA1CT
IPD70R1K4P7SAUMA1DKR
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
3 (168 Hours)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IPD16CN10N G
MOSFET N-CH 100V 53A TO252-3
IPD135N03LGBTMA1
LV POWER MOS
BSP716NH6327XTSA1
MOSFET N-CH 75V 2.3A SOT223-4