Numărul de produs al producătorului:
IPD135N03LGBTMA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPD135N03LGBTMA1-DG
Descriere:
LV POWER MOS
Descriere detaliată:
N-Channel 30 V 30A (Tc) 31W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventar:
12801096
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPD135N03LGBTMA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™ 3
Starea produsului
Not For New Designs
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
13.5mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1000 pF @ 15 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
31W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO252-3
Pachet / Carcasă
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numărul de bază al produsului
IPD135
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SP000236951
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IPD135N03LGATMA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
31780
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPD135N03LGATMA1-DG
PREȚ UNIC
0.26
TIP SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
BSP716NH6327XTSA1
MOSFET N-CH 75V 2.3A SOT223-4
IPD65R1K5CEAUMA1
MOSFET N-CH 700V 5.2A TO252-3
IPB120N06S402ATMA2
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3