Numărul de produs al producătorului:
IPD60R280P7SE8228AUMA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPD60R280P7SE8228AUMA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 12A (Tc) 53W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventar:
12804352
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPD60R280P7SE8228AUMA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
CoolMOS™ P7
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
280mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 190µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
761 pF @ 400 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
53W (Tc)
Temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO252-3
Pachet / Carcasă
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numărul de bază al produsului
IPD60R
Informații suplimentare
Alte nume
SP002367802
IPD60R280P7SE8228AUMA1-DG
448-IPD60R280P7SE8228AUMA1TR
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IPD60R280P7SAUMA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
2511
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPD60R280P7SAUMA1-DG
PREȚ UNIC
0.43
TIP SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IPD95R750P7ATMA1
MOSFET N-CH 950V 9A TO252-3
IRFB4233PBF
MOSFET N-CH 230V 56A TO220AB
IPI80N06S208AKSA1
MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3