Numărul de produs al producătorului:
IPD90P03P404ATMA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPD90P03P404ATMA1-DG
Descriere:
MOSFET P-CH 30V 90A TO252-3
Descriere detaliată:
P-Channel 30 V 90A (Tc) 137W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Inventar:
12804360
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPD90P03P404ATMA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Starea produsului
Not For New Designs
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
4.5mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 253µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
130 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
10300 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
137W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO252-3-11
Pachet / Carcasă
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numărul de bază al produsului
IPD90
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
IPD90P03P404
SP000396298
IPD90P03P4-04-DG
IPD90P03P4-04INCT
IPD90P03P4-04INCT-DG
IPD90P03P4-04INDKR-DG
IPD90P03P404ATMA1TR
2156-IPD90P03P404ATMA1
IPD90P03P4-04
IPD90P03P4-04INDKR
IPD90P03P4-04INTR
IPD90P03P404ATMA1DKR
INFINFIPD90P03P404ATMA1
IPD90P03P4-04INTR-DG
IPD90P03P404ATMA1CT
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRFH7545TRPBF
MOSFET N-CH 60V 85A PQFN
IRF630NLPBF
MOSFET N-CH 200V 9.3A TO262
IPU60R2K0C6AKMA1
MOSFET N-CH 600V 2.4A TO251-3
